Ceramiczne podkładki termiczne z azotku glinu dla tranzystora MOSFET - TO-3P/220/247/254/257/258/264
Ceramiczne podkładki termiczne z azotku glinu dla tranzystora MOSFET - TO-3P/220/247/254/257/258/264

Ceramiczne podkładki termiczne z azotku glinu dla tranzystora MOSFET - TO-3P/220/247/254/257/258/264

Podkładki ceramiczne z azotku glinu to materiały ceramiczne o wyjątkowych właściwościach, takich jak wysoka przewodność cieplna i wysoka oporność elektryczna. Dodatkowo charakteryzują się takimi zaletami jak wysoka twardość, odporność na korozję, niska stała dielektryczna oraz straty dielektryczne, a także niska rozszerzalność cieplna. Ceramika z azotku glinu ma doskonałą przewodność cieplną (7-10 razy większą niż ceramika z tlenku glinu), ponieważ współczynnik rozszerzalności cieplnej krzemu jest podobny, jako nowa generacja materiałów ceramicznych, coraz więcej osób zwraca na nią uwagę. Rozmiar standardowy: Dla typu opakowania: TO-3P / TO-220 / TO-247 / TO-264 / TO-3/TO-254/TO-257/TO-258, z otworem lub bez otworu. TO – 3P, 25*20*1mm (dostępne są również inne grubości); TO-220, 20*14*1mm (dostępne są również inne grubości); TO-247, 22*17*0.635mm (dostępne są również inne grubości); TO-264, 28*22*1mm (dostępne są również inne grubości); TO-3, 39.7*26.67*1mm (kształt rombu). Dla typu opakowania: TO-3P / TO-220 / TO-247 / TO-264 / TO-3/TO-254/TO-257/TO-258, z otworem lub bez otworu. Materiały: Azotek glinu, Tlenek glinu (Al2O3)